茂矽
V29C51400T/V29C51400B
4兆位
（ 262,144 x 16位/ 524,288 ×8位）
5伏CMOS FLASH MEMORY
描述
初步
特点
s
s
s
s
s
s
256K ×16位或512K ×8位的组织
地址访问时间： 70 ， 90 ， 120纳秒
单5V
±
10 ％的电力供应
扇区擦除模式操作
16KB的引导块（锁定）
1K字节每扇区， 512扇区
- 扇区擦除周期时间： 10毫秒（最大值）
- 字节写周期时间： 20
µ
S（最大）
最低万擦除 - 编程周期
低功耗
- 读操作工作电流： 19毫安（典型值）
- 活动程序电流： 30毫安（典型值）
- 待机电流： 100
µ
A（最大值）
硬件数据保护
低V
CC
编程禁止低于3.5V
自定时写入/擦除与终了操作
周期检测
- 数据查询
- 触发位
CMOS和TTL接口
有两个版本
- V29C51400T （顶部引导块）
- V29C51400B （底部引导块）
包：
- 48引脚TSOP
s
s
s
s
s
s
s
s
该V29C51400T / V29C51400B是高速
262,144 ×16位或524,288 ×8位CMOS闪存
内存。写或擦除设备与完成
单5伏电源。该装置具有
单独的芯片启动CE ，写使能WE，并
输出使能OE控制，以消除总线
争。
该V29C51400T / V29C51400B提供combi-
的国家：引导块与扇区擦除/写
模式。写/擦除周期结束时由检测
我DATA轮询/ O
7
或切换位I / O
6
.
该V29C51400T / V29C51400B有
扇区擦除操作，让每个部门
被擦除和重新编程，而不影响
存储在其他部门的数据。该设备还
支持整片擦除。
引导块架构使该器件能够
从位于任一在被保护的扇区的引导
顶（ V29C51400T ）或底部（ V29C51400B ） 。
所有的输入和输出的CMOS和TTL
兼容。
该V29C51400T / V29C51400B是理想的
需要更新的代码和数据的应用程序
存储。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
T
•
70
•
访问时间（纳秒）
90
•
120
•
温度
标志
空白
2000 V29C51400T / V29C51400B版本1.5月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
