欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

V29LC51001 参数 Datasheet PDF下载

V29LC51001图片预览
型号: V29LC51001
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 55 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
 浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V29LC51001的Datasheet PDF文件第9页  
茂矽
V29LC51001
1兆位( 131,072 ×8位)
5伏CMOS FLASH MEMORY
描述
初步
特点
s
s
s
s
s
128Kx8位组织
地址访问时间: 90纳秒
单5V
±
10 %的电力供应
扇区擦除模式操作
每个扇区512字节, 256个扇区
- 扇区擦除周期时间: 10毫秒(最大值)
- 字节编程时间周期: 30
µ
S(最大)
最低1000擦除程序周期
低功耗
- 读操作工作电流: 20毫安(典型值)
- 活动程序电流: 30毫安(典型值)
- 待机电流: 100μA (最大值)
低V
CC
编程禁止低于3.2V
自定时编程/擦除操作
CMOS和TTL接口
包:
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
s
s
该V29LC51001是高速131072 ×8位
CMOS闪存。编程或擦除
装置,是用一个5伏电源。
该设备有独立的芯片使能CE ,程序
启用WE和输出使能OE控制,以
消除总线争用。
该V29LC51001设有一个扇区擦除
操作,它允许每个扇区被擦除
和重新编程,而不会影响存储在数据
其他行业。该器件还支持全芯片
抹去。
s
s
s
s
设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70℃
包装外形
P
J
访问时间(纳秒)
90
温度
标志
空白
2000 V29LC51001版本0.5月
1