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V29LC51002 参数 Datasheet PDF下载

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型号: V29LC51002
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内容描述: 2兆位262,144 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 55 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
V29LC51002
2兆位( 262144 ×8位)
5伏CMOS FLASH MEMORY
描述
初步
特点
s
s
s
s
s
256Kx8位组织
地址访问时间: 90纳秒
单5V
±
10 %的电力供应
扇区擦除模式操作
每个扇区512字节, 512个扇区
- 扇区擦除周期时间: 10毫秒(最大值)
- 字节写周期时间: 30
µ
S(最大)
最低1000擦除程序周期
低功耗
- 读操作工作电流: 20毫安(典型值)
- 活动程序电流: 30毫安(典型值)
- 待机电流: 100μA (最大值)
低V
CC
编程禁止低于3.5V
CMOS和TTL接口
包:
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
s
s
该V29LC51002是高速262144 ×8位
CMOS闪存。写或擦除设备
做跟单5伏电源。该
设备都有单独的芯片使能CE ,写使能
WE和输出使能OE控制,以消除
总线争用。
该V29LC51002设有一个扇区擦除
操作,它允许每个扇区被擦除
和重新编程,而不会影响存储在数据
其他行业。该器件还支持全芯片
抹去。
s
s
s
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
P
J
访问时间(纳秒)
90
温度
标志
空白
2000 V29LC51002版本0.5月
1