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V436416S04V 参数 Datasheet PDF下载

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型号: V436416S04V
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内容描述: 3.3伏16M ×64的高性能PC100 SDRAM UNBUFFERED模块 [3.3 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE PC100 UNBUFFERED SDRAM MODULE]
分类和应用: 动态存储器PC
文件页数/大小: 11 页 / 69 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
V436416S04V(C)TG-10PC
3.3伏16M ×64高性能
PC100 SDRAM UNBUFFERED模块
初步
特点
s
168针无缓冲16777216 ×64位
Oganization SDRAM模块
s
利用在高性能8M ×8 SDRAM
TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
+ 3.3V单(
±
0.3V )电源
s
可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
s
自动刷新( CBR)和自刷新
s
所有的输入,输出是LVTTL兼容
s
4096刷新周期每64毫秒
s
串行目前检测(SPD)
s
SDRAM性能
描述
该V436416S04V ( C) TG - 10PC内存模块
组织在一个168针双16777216 ×64位
在直插式内存模块( DIMM ) 。在16M ×64非
缓冲DIMM采用16茂矽 - 华智8M ×8
SDRAM 。在x64模块非常适合于使用高
高性能计算机系统中增加
存储密度和快速的访问时间是必需的。
关键部件时序参数
t
CK
t
AC
t
AC
时钟频率(最大)
时钟存取时间CAS
延时= 3
延时= 2
-8PC
125
6
单位
兆赫
ns
6
ns
s
模块频率与AC参数
频率
V436416S04V(C)TG-10PC
100兆赫(PC)的
CL
( CAS延迟)
3
2
t
RCD
2
2
t
RP
2
2
t
RC
7
7
单位
CLK
CLK
V436416S04V(C)TG-10PC-01
2000 V436416S04V ( C) TG - 10PC版本1.2月
1