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V43648S04VCTG-75 参数 Datasheet PDF下载

V43648S04VCTG-75图片预览
型号: V43648S04VCTG-75
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内容描述: 3.3伏8M ×64的高性能PC133 SDRAM UNBUFFERED模块 [3.3 VOLT 8M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SDRAM MODULE]
分类和应用: 动态存储器PC
文件页数/大小: 12 页 / 168 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
V43648S04V(C)TG-75
3.3伏8M ×64高性能
PC133 SDRAM UNBUFFERED模块
初步
特点
s
168针无缓冲8,388,608 ×64位
Oganization SDRAM模块
s
利用在高性能8M ×8 SDRAM
TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
s
可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
s
自动刷新( CBR)和自刷新
s
所有的输入,输出是LVTTL兼容
s
4096刷新周期每64毫秒
s
串行目前检测(SPD)
s
SDRAM性能
组件中使用
t
CK
t
AC
时钟频率(最大)
时钟存取时间CAS
延时= 3
描述
该V43648S04V ( C) TG - 75内存模块
组织在一个168针内存8388608 ×64位
模块。在8M ×64的内存模块采用8
茂矽 - 华智8M ×8的SDRAM 。在x64模块
非常适用于高性能计算机系统中使用
其中,增加的内存密度和快速访问
时间是必需的。
-7
143
5.4
单位
兆赫
ns
s
在133 MHz的操作支持的潜伏期
CL
3
t
RCD
3
t
RP
3
t
RC
8
CLK
V43648S04V(C)TG-75-01
V43648S04V (C ) TG - 75修订版2000年1.7月
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