V436516R04V(L)
3.3伏16M ×64 LOW PROFILE
UNBUFFERED SDRAM模块
初步
CILETIV LESOM
特点
V436516R04V ( L)修订版2001年1.0月
描述
该V436516R04V ( L)内存模块
组织在一个168引脚双列16777216 ×64位
直插式内存模块( DIMM ) 。在16M ×64
内存模块采用8茂矽 - 华智8M ×16
SDRAM 。在x64模块非常适合于使用高
高性能计算机系统中增加
存储密度和快速的访问时间是必需的。
s
168针脚Unbuffered16,777,216 ×64位
Oganization SDRAM DIMM
s
采用高性能128兆位, 8M ×16
SDRAM在TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
s
可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
s
自动刷新( CBR)和自刷新
s
所有的输入,输出是LVTTL兼容
s
4096刷新周期每64毫秒
s
串行目前检测(SPD)
s
SDRAM性能
产品型号
V436516R04VXTG-75L
速度
GRADE
-75 , CL = 3
( 133兆赫)
CON组fi guration
16M ×64
V436516R04VXTG - 75PCL -75PC , CL = 2,3
( 133兆赫)
V436516R04VXTG - 10PCL -10PC , CL = 2,3
(100 MHz)的
16M ×64
16M ×64
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