V43658R04V
3.3伏8M ×64 UNBUFFERED SDRAM
模块
初步
CILETIV LESO M
特点
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168针无缓冲8,388,608 ×64位
Oganization SDRAM DIMM
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采用高性能128兆位, 8M ×16
SDRAM在TSOPII -54封装
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完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
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单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
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可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
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自动刷新( CBR)和自刷新
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所有的输入,输出是LVTTL兼容
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4096刷新周期每64毫秒
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串行目前检测(SPD)
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SDRAM性能
描述
该V43658R04V内存模块组织
8388608 ×64位的168引脚双列直插式内存
模块(DIMM) 。在8M ×64的内存模块使用
4茂矽 - 华智8M ×16 SDRAM 。在x64模块
非常适用于高性能计算机的使用
系统中的存储密度和快速增加
访问时间是必需的。
产品型号
V43658R04VXTG-75
速度
GRADE
-75 , CL = 3
( 133兆赫)
-75PC , CL = 2,3
( 133兆赫)
-10PC , CL = 2,3
(100 MHz)的
CON组fi guration
8M ×64
V43658R04VXTG-75PC
8M ×64
V43658R04VXTG-10PC
8M ×64
V43658R04V 1.0版2002年3月
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