V43658R04V
CILETIV LESO M
产品编号信息
V
茂矽
制成的
4
3
65
8
R
0
4
V
x深
摹 - XX
SDRAM
3.3V
宽度
深度
168针无缓冲DIMM
X16 COMPONENT
刷新
RATE 4K
速度
75PC = PC133 CL2,3
75
= PC133 CL3
10PC = PC100 CL2
无铅封装
G =金
部件
包装， T = TSOP
部件
转级
LVTTL
4银行
框图
10
CLK1/3
10pF
WE
CS0
WE
DQM0
I/O1–I/O8
10
DQM1
I/O9–I/O16
10
CS2
WE
DQM2
I/O17–I/O24
10
DQM3
I/O25–I/O32
10
UDQM
I/O9–I/O16
DQM7
I/O57–I/O64
10
CKE0
RAS
CAS
WP
47K
CS
DQM4
I/O33–I/O40
10
DQM5
I/O41–I/O48
10
WE
LDQM
I/O1–I/O8
UDQM
I/O9–I/O16
CS
LDQM
I/O1–I/O8
UDQM
I/O9–I/O16
D0
D2
CS
DQM6
I/O49–I/O56
10
WE
LDQM
I/O1–I/O8
UDQM
I/O9–I/O16
CS
LDQM
I/O1–I/O8
D1
D3
E
2
PROM SPD （ 256字×8位）
SCL0
SA2
SA1
SA0
SDA
CKE ： SDRAM D0 -D3
RAS ： SDRAM D0 -D3
CAS ： SDRAM D0 -D3
WE： SDRAM D0 -D3
A（ 11 ： 0 ） ： SDRAM D0 -D3
BA0 ， BA1 ： SDRAM D0 -D3
D0–D3
C0–C7
D0–D3
两个0.1μF的电容器
按每个SDRAM
WE
A(11:0)
BA0 ， BA1
V
CC
10
D0/D2
D1/D3
CLK0/2
15pF
V
SS
2002年V43658R04V Rev.1.0三月
3
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
