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V43658Y04VATG-75PC 参数 Datasheet PDF下载

V43658Y04VATG-75PC图片预览
型号: V43658Y04VATG-75PC
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内容描述: 3.3伏8M ×64的高性能133 MHz的SDRAM SODIMM UNBUFFERED [3.3 VOLT 8M x 64 HIGH PERFORMANCE 133 MHZ SDRAM UNBUFFERED SODIMM]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 11 页 / 73 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
V43658Y04VATG-75PC
3.3伏8M ×64高性能
133 MHz的SDRAM
UNBUFFERED SODIMM
描述
初步
特点
I
JEDEC标准的144针脚,小外形,双列
直插式内存模块( SODIMM )
I
串行存在检测为E
2
舞会
I
无缓冲
I
完全同步,所有的信号就注册
系统时钟的上升沿,
I
单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
I
所有器件引脚兼容LVTTL
I
4096刷新周期每64毫秒
I
自刷新模式
I
内部流水线操作;列地址
可以改变每一个系统时钟
I
可编程突发长度:1, 2,4,或8个
I
自动预充电和预充电所有银行通过A10
I
通过DQM数据屏蔽功能
I
模式寄存器编程设置
I
可编程( CAS延迟: 2 , 3个时钟)
该V43658Y04VATG - 75PC内存模块
组织在一个144引脚8,388,608 ×64位
SODIMM 。在8M ×64的内存模块采用4
茂矽 - 华智8M ×16 SDRAM 。在x64模块
非常适用于高性能计算机的使用
系统中的存储密度和快速增加
访问时间是必需的。
组件中使用
t
CK
时钟频率(最大) CL = 3
CL=2
t
AC
时钟存取时间CAS CL = 3
潜伏期
CL=2
-7
143
133
5.4
5.4
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
I
在133 MHz的操作支持的潜伏期
CL
3
2
t
RCD
3
2
t
RP
3
2
t
RC
8
8
CLK
CLK
8M ×16
8M ×16
8M ×16
8M ×16
1
59
61
143
在背面针脚2
背面上的144引脚
V43658Y04VATG - 75PC 2001年修订版1.0七月
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