V436632S24V
3.3伏32M ×64高性能
PC133 SDRAM UNBUFFERED模块
初步
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168针无缓冲33554432 ×64位
Oganization SDRAM模块
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利用了高性能的32M ×8 SDRAM
TSOPII -54封装
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完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
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单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
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可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
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自动刷新( CBR)和自刷新
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所有的输入,输出是LVTTL兼容
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8192刷新周期每64毫秒
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串行存在检测( SPD )
CILETIV LESOM
特点
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V436632S24V 1.0版2002年1月
描述
该V436632S24V内存模块组织
33554432 ×64位168针双列直插式
内存模块( DIMM ) 。在32M ×64无缓冲
DIMM采用8茂矽 - 华智32M ×8 SDRAM 。该
64模块非常适用于高性能应用
计算机系统中增加内存
密度和快速的存取时间是必需的。
产品型号
V436632S24VXTG-75PC
速度
GRADE
-75PC , CL = 2,3
( 133兆赫)
-75 , CL = 3
( 133兆赫)
-10PC , CL = 2,3
(100 MHz)的
CON组fi guration
32M ×64
V436632S24VXTG-75
32M ×64
V436632S24VXTG-10PC
32M ×64
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