V436632Z24V
3.3伏32M ×64高性能
133 MHz的SDRAM
UNBUFFERED SODIMM
初步
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JEDEC标准的144针脚,小外形,双列
直插式内存模块( SODIMM )
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串行存在检测为E
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舞会
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无缓冲
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完全同步,所有的信号就注册
系统时钟的上升沿,
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单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
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所有器件引脚兼容LVTTL
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8192刷新周期每64毫秒
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自刷新模式
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内部流水线操作;列地址
可以改变每一个系统时钟
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可编程突发长度:1, 2,4, 8
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自动预充电和Piecharge所有银行通过A10
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通过DQM数据屏蔽功能
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模式寄存器编程设置
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可编程( CAS延迟: 2 , 3个时钟)
CILETIV LESO M
特点
描述
该V436632Z24V内存模块组织
33554432 ×64位144针SODIMM 。该
32M ×64的内存模块采用8茂矽 - 华智32M
×8 SDRAM 。在x64模块非常适合于使用
高性能计算机系统中
提高存储密度和快速的访问时间
是必需的。
速度
GRADE
-75PC , CL = 2,3
( 133兆赫)
-75 , CL = 3
( 133兆赫)
-10PC , CL = 2,3
(100 MHz)的
产品型号
V436632Z24VXTG-75PC
CON组fi guration
32M ×64
V436632Z24VXTG-75
32M ×64
V436632Z24VXTG-10PC
32M ×64
32M ×8
32M ×8
32M ×8
32M ×8
1
59
61
143
在背面针脚2
背面上的144引脚
V436632Z24V 1.1修订版2002年2月
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