V436664S24V
3.3伏64M ×64高性能
UNBUFFERED SDRAM模块
初步
CILETIV LESO M
特点
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168针无缓冲67108864 ×64位
Oganization SDRAM模块
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利用了高性能的32M ×8 SDRAM
TSOPII -54封装
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完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
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单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
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可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
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自动刷新( CBR)和自刷新
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所有的输入,输出是LVTTL兼容
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8192刷新周期每64毫秒
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串行目前检测(SPD)
描述
该V436664S24V内存模块组织
67108864 ×64位的168引脚双列直插式的MEM
储器模块( DIMM ) 。在64M ×64无缓冲
DIMM采用16茂矽 - 华智32M ×8 SDRAM 。该
64模块非常适用于高性能应用
计算机系统中增加了内存densi-
TY和快速的访问时间是必需的。
产品型号
V436664S24VXTG-75PC
速度
GRADE
-75PC , CL = 2,3
( 133兆赫)
-75 , CL = 3
( 133兆赫)
-10PC , CL = 2,3
(100 MHz)的
CON组fi guration
64M ×64
V436664S24VXTG-75
64M ×64
V436664S24VXTG-10PC
64M ×64
V436664S24V修订版1.1 2002年3月
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