茂矽
V437216S04V(C)TG-10PC
3.3伏16M X 72高性能
PC100非缓冲ECC SDRAM
模块
描述
初步
的iFeature
s
168针无缓冲16777216 X 72位
Oganization ECC的DIMM
s
利用在高性能8M ×8 SDRAM
TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
+ 3.3V单(
±
0.3V )电源
s
可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
s
自动刷新( CBR)和自刷新
s
所有的输入,输出是LVTTL兼容
s
4096刷新周期每64毫秒
s
串行目前检测(SPD)
s
SDRAM性能
该V437216S04V ( C) TG - 10PC内存模块
组织在一个168针双16777216 X 72位
在直插式内存模块( DIMM ) 。在16M X 72的MEM
储器模块采用18茂矽 - 华智8M ×8 SDRAM 。
在x64模块非常适用于高perfor-使用
曼斯计算机系统中增加内存
密度和快速的存取时间是必需的。
关键部件时序参数
t
CK
t
AC
t
AC
时钟频率(最大)
时钟存取时间CAS
延时= 3
延时= 2
-8PC
125
6
单位
兆赫
ns
6
ns
s
模块频率与AC参数
频率
V437216S04V(C)TG-10PC
100兆赫(PC)的
CL
( CAS延迟)
3
2
t
RCD
2
2
t
RP
2
2
t
RC
7
7
单位
CLK
CLK
V437216S04V(C)TG-10PC-01
2000 V437216S04V ( C) TG - 10PC版本1.1月
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