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V437216S04VCTG-75 参数 Datasheet PDF下载

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型号: V437216S04VCTG-75
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内容描述: 3.3伏16M X 72高性能PC133非缓冲ECC SDRAM模块 [3.3 VOLT 16M x 72 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED ECC SDRAM MODULE]
分类和应用: 动态存储器PC
文件页数/大小: 12 页 / 252 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
V437216S04V(C)TG-75
3.3伏16M X 72高性能
PC133非缓冲ECC SDRAM
模块
描述
初步
特点
s
168针无缓冲16777216 X 72位
Oganization SDRAM ECC的DIMM
s
利用在高性能8M ×8 SDRAM
TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
+ 3.3V单(
±
0.3V )电源
s
可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
s
自动刷新( CBR)和自刷新
s
所有的输入,输出是LVTTL兼容
s
4096刷新周期每64毫秒
s
串行目前检测(SPD)
s
SDRAM性能
组件中使用
t
CK
t
AC
时钟频率(最大)
时钟存取时间CAS
延时= 3
该V437216S04V ( C) TG - 75内存模块
组织在一个168引脚双列16777216 ×64位
直插式内存模块( DIMM ) 。在16M X 72
内存模块采用18茂矽 - 华智8M ×8
SDRAM 。在X72模块非常适合于使用高
高性能计算机系统中增加
存储密度和快速的访问时间是必需的。
-7
143
5.4
单位
兆赫
ns
s
在133 MHz的操作支持的潜伏期
CL
3
t
RCD
3
t
RP
3
t
RC
8
CLK
V437216S04V(C)TG-75-01
2000 V437216S04V ( C) TG - 75修订版1.2月
1