V437332S04V
3.3伏32M X 72高性能
非缓冲ECC SDRAM模块
初步
CILETIV LESOM
特点
V437332S04V 1.0版2001年12月
描述
该V437332S04V内存模块组织
33554432 X 72位168针双列直插式
内存模块( DIMM ) 。在32M X 72内存
模块采用18茂矽 - 华智128兆比特, 16M ×8
SDRAM 。在X72模块非常适合于使用高
高性能计算机系统中增加
存储密度和快速的访问时间是必需的。
速度
GRADE
-75PC , CL = 2,3
( 133兆赫)
-75 , CL = 3
( 133兆赫)
-10PC , CL = 2,3
(100 MHz)的
s
168针无缓冲33554432 X 72位
Oganization SDRAM模块
s
采用高性能的128Mbit , 16M ×8
SDRAM在TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
s
可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
s
自动刷新( CBR)和自刷新
s
所有的输入,输出是LVTTL兼容
s
4096刷新周期每64毫秒
s
串行目前检测(SPD)
s
SDRAM性能
产品型号
V437332S04VXTG-75PC
CON组fi guration
32M X 72
V437332S04VXTG-75
32M X 72
V437332S04VXTG-10PC
32M X 72
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