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    V437332S04VXTG-75 参数 Datasheet PDF下载

    V437332S04VXTG-75图片预览
    型号： V437332S04VXTG-75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3伏32M X 72高性能非缓冲ECC SDRAM模块 [3.3 VOLT 32M x 72 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED ECC SDRAM MODULE]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 281 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V437332S04VXTG-75的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V437332S04VXTG-75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V437332S04VXTG-75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V437332S04VXTG-75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V437332S04VXTG-75的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V437332S04VXTG-75的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V437332S04VXTG-75的Datasheet PDF文件第11页浏览型号V437332S04VXTG-75的Datasheet PDF文件第12页  
    V437332S04V
    CILETIV LESOM
    AC特性
    T
    A
    = 0°至70℃ ; V
    SS
    = 0V; V
    CC
    = 3.3V
    ±
    0.3V ，T
    T
    = 1纳秒（续）
    限值
    -75PC
    #
    3
    -75
    分钟。
    –
    _
    2.5
    2.5
    1
    -10PC
    分钟。
    –
    _
    3
    3
    1
    符号
    t
    AC
    参数
    从时钟存取时间
    CAS延时= 3
    CAS延时= 2
    时钟高电平脉冲宽度
    时钟低脉冲宽度
    转型添
    分钟。
    –
    _
    2.5
    2.5
    1
    马克斯。
    5.4
    6.0
    –
    –
    –
    马克斯。
    5.4
    6.0
    –
    –
    –
    马克斯。
    6.0
    6.0
    –
    –
    –
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    记
    2, 4
    4
    5
    6
    t
    CH
    t
    CL
    t
    T
    建立和保持时间
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    t
    IS
    t
    IH
    t
    中正
    t
    长实
    t
    RSC
    t
    SB
    输入建立时间
    输入保持时间
    输入建立时间
    CKE保持时间
    模式寄存器建立时间
    掉电模式进入时间
    1.5
    0.8
    1.5
    0.8
    15
    0
    –
    –
    –
    –
    –
    7.5
    1.5
    0.8
    1.5
    0.8
    20
    0
    –
    –
    –
    –
    –
    7.5
    2
    1
    2
    1
    20
    0
    –
    –
    –
    –
    –
    10
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    5
    5
    5
    5
    通用参数
    13
    14
    15
    16
    17
    t
    RCD
    t
    RP
    t
    RAS
    t
    RC
    t
    RRD
    t
    CCD
    行到列延迟时间
    行预充电时间
    行活动时间
    行周期时间
    激活（一）激活（B ）命令
    期
    CAS （一）到CAS （二）指令周期
    15
    15
    42
    60
    14
    –
    –
    100K
    –
    –
    20
    20
    45
    70
    15
    –
    –
    100K
    –
    –
    20
    20
    45
    70
    20
    –
    –
    100K
    –
    –
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    6
    6
    6
    6
    6
    18
    1
    –
    1
    –
    1
    –
    CLK
    刷新周期
    19
    20
    t
    REF
    t
    SREX
    刷新周期（ 4096次）
    自刷新退出时间
    —
    64
    —
    —
    64
    —
    —
    64
    —
    ms
    ns
    10
    10
    10
    读周期
    21
    22
    23
    24
    t
    OH
    t
    LZ
    t
    HZ
    t
    DQZ
    数据输出保持时间
    数据输出为低阻抗时间
    数据输出为高阻时间
    DQM数据输出禁用延迟
    2.7
    1
    3
    –
    –
    –
    7.5
    2
    3
    1
    3
    –
    –
    –
    7.5
    2
    3
    1
    3
    –
    –
    –
    7.5
    2
    ns
    ns
    ns
    CLK
    7
    2
    写周期
    25
    26
    t
    WR
    t
    DQW
    写恢复时间
    DQM写面膜延迟
    2
    0
    –
    –
    2
    0
    –
    –
    1
    0
    –
    –
    CLK
    CLK
    V437332S04V 1.0版2001年12月
    8

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