茂矽
V53C16129H
高性能
128K ×16位EDO页模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
60
60纳秒
30纳秒
27纳秒
110纳秒
特点
s
128K ×16位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
67兆赫
s
RAS访问时间： 40 ， 45 ， 50 ， 60纳秒
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS刷新
s
刷新间隔： 512次/ 8ms的
s
可提供40引脚400密耳SOJ和40 / 44L针
400万TSOP- II封装
s
+ 5V单
±
10 ％的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C16129H是131,072 ×16位高
性能CMOS动态随机存取
内存。该V53C16129H提供页面模式
扩展数据输出。 EDO页面模式操作
允许随机访问多达512 ×16位，在一个
页，与周期时间尽可能短， 15纳秒。一
地址， CAS和RAS输入电容是
减少到最小的加载。该V53C16129H
具有不对称的地址的8位的行和第9位的
柱。
所有输入为TTL兼容。该V53C16129H
最适合用于图形和DSP应用
需要高性能的回忆。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
•
访问时间（纳秒）
40
•
动力
60
•
T
•
45
•
50
•
标准。
•
温度
标志
空白
V53C16129H 1.2修订版1997年7月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
