茂矽
V53C16256H
256K ×16的快速页面模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
30
30纳秒
16纳秒
19纳秒
65纳秒
35
35纳秒
18纳秒
21纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
23纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
25纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
28纳秒
90纳秒
60
60纳秒
30纳秒
35纳秒
110纳秒
特点
s
256K ×16位的组织
s
对于一个持续数据传输率快页模式
53兆赫。
s
RAS访问时间： 30 ， 35 ， 40 ， 45 ， 50 ， 60纳秒
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS刷新
s
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
s
可提供40引脚400密耳SOJ和
40 / 44L -销400万TSOP- II封装
s
+ 5V单
±
10 ％的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C16256H是262,144 ×16位高
高性能CMOS动态随机存取MEM-
ORY 。该V53C16256H提供快速页面与模式
双CAS输入。地址， CAS和RAS输入
电容被减少到四分之一时
X4 DRAM的用于构造相同的存储器
密度。该V53C16256H有对称的地址
并接受512周期8ms的时间间隔。
所有输入为TTL兼容。快速页模式
操作允许随机访问多达512 ×16位，
在一个页面中，与周期时间短至19ns 。
该V53C16256H是最适合于图形，并且
DSP应用。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
-40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
K
•
•
T
•
•
30
•
•
35
•
•
访问时间（纳秒）
40
•
•
45
•
•
50
•
•
60
•
•
动力
标准。
•
•
温度
标志
空白
I
V53C16256H修订版2.3 1998年6月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
