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    V53C16258LK40 参数 Datasheet PDF下载

    V53C16258LK40图片预览
    型号： V53C16258LK40
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高性能3.3伏256K X 16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新 [HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 20 页 / 158 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V53C16258LK40的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V53C16258LK40的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V53C16258LK40的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V53C16258LK40的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V53C16258LK40的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V53C16258LK40的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V53C16258LK40的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V53C16258LK40的Datasheet PDF文件第9页  
    茂矽
    V53C16258L
    高性能
    3.3伏256K X 16 EDO页模式
    CMOS动态RAM
    可选的自刷新
    35
    35纳秒
    18纳秒
    14纳秒
    70纳秒
    高性能
    马克斯。 RAS访问时间， （T
    RAC
    )
    马克斯。列地址访问时间（T
    CAA
    )
    分钟。快速页模式周期时间， （T
    PC
    )
    分钟。读/写周期时间， （T
    RC
    )
    40
    40纳秒
    20纳秒
    15纳秒
    75纳秒
    45
    45纳秒
    22纳秒
    17纳秒
    80纳秒
    50
    50纳秒
    24纳秒
    19纳秒
    90纳秒
    特点
    s
    256K ×16位的组织
    s
    EDO页面模式的持续数据传输率
    71兆赫
    s
    RAS访问时间： 35 ， 40 ， 45 ， 50纳秒
    s
    双输入CAS
    s
    低功耗
    s
    读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
    CAS先于RAS的刷新和自刷新
    s
    可选的自刷新（ V53C16258SL ）
    s
    刷新间隔：标准： 512次/ 8ms的
    s
    可提供40引脚400密耳SOJ和
    40 / 44L -销400万TSOP- II封装
    s
    + 3.3V单
    ±
    0.3V电源
    s
    TTL接口
    描述
    该V53C16258L是262,144 ×16位高
    性能CMOS动态随机存取
    内存。该V53C16258L提供页面模式
    扩展数据输出。地址， CAS和RAS
    输入电容被减少到四分之一
    当X4 DRAM的用于构造相同的
    存储密度。该V53C16258L具有对称
    正视和接受512周期8ms的时间间隔。
    所有输入为TTL兼容。 EDO页面模式
    操作允许随机访问多达512 ×16位，
    在一个页面中，与周期时间尽可能短为15ns 。
    该V53C16258L非常适合宽
    各种高性能便携式计算机
    系统和外围设备的应用程序。
    设备使用图
    操作
    温度
    范围
    0
    °
    C至70
    °
    C
    包装外形
    K
    •
    T
    •
    35
    •
    访问时间（纳秒）
    40
    •
    45
    •
    50
    •
    动力
    标准。
    •
    温度
    标志
    空白
    V53C16258L 1.1修订版1999年6月
    1

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