茂矽
T
A
= 0℃至70℃ ,V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V ,除非另有说明
AC测试条件下,输入脉冲电平0〜 3V
25
(100 MHz)的
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH (R)的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
t
RSH (W)的
t
CWL
t
WCS
t
WCH
参数
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间(读周期)
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间
参考CAS
读命令保持时间
参考RAS
RAS保持时间参考的
以OE
从OE访问时间
从CAS访问时间
从RAS访问时间
从列存取时间
地址
OE或CAS以低阻抗输出
OE或CAS到输出高阻态
列地址保持时间
从RAS
RAS到列地址
延迟时间
RAS或CAS保持时间
写周期
写命令CAS
交货时间
写命令设置时间
写命令保持时间
0
0
19
5
30
35
40
45
V53C16258H
AC特性
50
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注
25
45
15
25
4
10
0
0
4
0
4
7
5
0
17
75K
30
60
20
30
5
12
0
0
5
0
5
9
5
0
20
75K
35
70
25
35
6
13
0
0
6
0
5
10
5
0
24
75K
40
75
25
40
7
15
0
0
7
0
5
10
5
0
28
75K
45
80
25
45
8
18
0
0
8
0
6
10
5
0
32
75K
50
90
30
50
9
19
0
0
9
0
7
10
5
0
36
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4
15
0
0
0
0
0
0
ns
5
16
4
6
7
8
9
10
ns
17
18
19
20
8
8
25
13
10
10
30
16
11
11
35
18
12
12
40
20
13
13
45
22
14
14
50
24
ns
12
纳秒6,7, 14
ns
6, 8, 9
纳秒6,7, 10
21
22
23
0
0
23
5
0
0
25
6
0
0
30
6
0
0
35
7
0
0
40
8
ns
ns
ns
16
16
24
8
13
9
14
10
17
12
20
13
23
14
26
ns
11
25
7
9
10
10
10
10
ns
26
5
7
8
10
13
14
ns
27
28
0
4
0
5
0
5
0
5
0
6
0
7
ns
ns
12, 13
V53C16258H 3.8修订版1999年11月
5