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    V53C16258SLT45 参数 Datasheet PDF下载

    V53C16258SLT45图片预览
    型号： V53C16258SLT45
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高性能3.3伏256K X 16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新 [HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 20 页 / 158 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V53C16258SLT45的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V53C16258SLT45的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V53C16258SLT45的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V53C16258SLT45的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V53C16258SLT45的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V53C16258SLT45的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V53C16258SLT45的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V53C16258SLT45的Datasheet PDF文件第10页  
    茂矽
    AC特性
    （续）
    35
    #
    33
    34
    35
    36
    37
    V53C16258L
    40
    45
    50
    符号
    t
    DH
    t
    WOH
    t
    OED
    t
    RWC
    t
    RRW
    t
    CWD
    t
    RWD
    t
    CRW
    t
    AWD
    t
    PC
    t
    CP
    t
    汽车
    t
    帽
    t
    DHR
    t
    企业社会责任
    t
    RPC
    t
    CHR
    t
    PCM
    t
    COH
    t
    OES
    t
    OEH
    t
    OEP
    t
    T
    参数
    数据保持时间
    写OE保持时间
    OE数据延迟时间
    读 - 修改 - 写周期时间
    读 - 修改 - 写周期RAS脉冲
    宽度
    CAS以拖延
    RAS到我们拖延在读 -
    修改 - 写周期
    CAS脉冲宽度（ RMW ）
    上校地址到我们拖延
    EDO页面模式读取或写入周期
    时间
    CAS预充电时间
    列地址到RAS建立时间
    从列预充电时间访问
    在数据保持时间参考RAS
    CAS建立时间CAS先于RAS
    刷新
    RAS到CAS预充电时间
    CAS保持时间CAS先于RAS刷新
    EDO页面模式读取 - 修改 - 写入
    周期
    CAS低后输出保持
    OE低到高CAS建立时间
    OE保持时间从我们在
    读 - 修改 - 写周期
    OE高脉冲宽度
    转换时间（上升和下降）
    分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注
    5
    5
    5
    90
    59
    5
    6
    6
    110
    75
    6
    7
    7
    115
    80
    7
    8
    8
    130
    87
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    14
    14
    14
    38
    39
    23
    46
    30
    58
    32
    62
    34
    68
    ns
    ns
    12
    12
    40
    41
    42
    34
    29
    14
    48
    38
    15
    50
    41
    17
    52
    42
    19
    ns
    ns
    ns
    12
    43
    44
    45
    46
    47
    4
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    20
    25
    8
    5
    20
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    6
    22
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    7
    24
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    40
    10
    ns
    ns
    ns
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    ns
    7
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    50
    0
    8
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    60
    0
    10
    65
    0
    10
    70
    ns
    ns
    ns
    51
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    53
    3
    3
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    10
    5
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    10
    5
    5
    10
    ns
    ns
    ns
    54
    55
    8
    1.5
    50
    10
    1.5
    50
    10
    1.5
    50
    10
    1.5
    50
    ns
    ns
    15
    可选的自刷新
    56
    57
    58
    59
    60
    t
    REF
    t
    RASS
    t
    RPS
    t
    CHS
    t
    CHD
    刷新间隔（ 512个周期）
    RAS脉冲宽度在自刷新
    RAS预充电时间在自刷新
    CAS保持时间宽度在自刷新
    CAS低电平时间在自刷新
    100
    100
    100
    100
    8
    100
    100
    100
    100
    8
    100
    100
    100
    100
    8
    100
    100
    100
    100
    8
    ms
    µs
    µs
    µs
    µs
    17
    18
    18
    18
    18
    V53C16258L 1.1修订版1999年6月
    6

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