茂矽
V53C318165A
3.3伏1M ×16 EDO页模式
CMOS动态RAM
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
50
50纳秒
25纳秒
20纳秒
84纳秒
60
60纳秒
30纳秒
25纳秒
104纳秒
70
70纳秒
35纳秒
30纳秒
124纳秒
特点
s
1M ×16位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
50兆赫
s
RAS存取时间：50 ，60， 70纳秒
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS刷新，隐藏刷新，
自刷新。
s
刷新间隔： 1024次/ 16毫秒
s
可提供42引脚400密耳SOJ和50μg/ 44针
400万TSOP -II
s
+ 3.3V单
±
0.3 V电源
s
TTL接口
描述
该V53C318165A是1048576 ×16位高
高性能CMOS动态随机存取MEM-
ORY 。该V53C318165A提供页面模式操作
化与扩展数据输出。该V53C318165A
具有一个对称的地址， 10比特的行和10位
柱。
所有输入为TTL兼容。 EDO页面模式
操作允许随机存取高达1024 ×16
位，页内，与循环时间越短
20ns.
这些特性使得V53C318165A理想
适合于各种高性能的COM
计算机系统和外围设备的应用程序。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
•
访问时间（纳秒）
50
•
动力
70
•
T
•
60
•
标准。
•
温度
标志
空白
V53C318165A 1.0版1998年1月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
