茂矽
V53C516400A
4M ×4快速页面模式
CMOS动态RAM
初步
V53C516400A
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。页模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
50
50纳秒
25纳秒
35纳秒
84纳秒
60
60纳秒
30纳秒
40纳秒
104纳秒
特点
s
4M ×4位的组织
s
对于一个持续数据传输率快页模式
50兆赫
s
RAS访问时间： 50 ， 60纳秒
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS的刷新和刷新隐藏
s
刷新间隔： 4096次/ 64毫秒
s
可在26分之24针300万SOJ ，
和第24/ 26针300密耳的TSOP -II
s
+ 5V单
±
10 ％的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C516400A是4194304 ×4位高
高性能CMOS动态随机存取MEM-
ORY 。该V53C516400A提供页面模式操作
化。该V53C516400A具有不对称的地址，
12位的行和第10位的列。
所有输入为TTL兼容。快速页模式
操作允许随机存取高达1024 ×4位，
在一个页面上，周期时间短为35ns 。
这些特性使得V53C516400A理想
适合于各种高性能的COM
计算机系统和外围设备的应用程序。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
•
访问时间（纳秒）
50
•
动力
标准。
•
T
•
60
•
温度
标志
空白
V53C516400A修订版1.1 1998年3月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
