茂矽
V53C518165A
1M ×16 EDO页模式
CMOS动态RAM
可选的自刷新
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
50
50纳秒
25纳秒
20纳秒
84纳秒
60
60纳秒
30纳秒
25纳秒
104纳秒
特点
s
1MB ×16位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
50兆赫
s
RAS访问时间： 50 ， 60纳秒
s
双输入CAS
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS刷新
•刷新间隔： 1024次/ 16毫秒
s
可提供42引脚400密耳SOJ和
50分之44引脚400密耳的TSOP -II封装
s
单5V
±10%
电源
s
TTL接口
s
可选的自刷新（ V53C518165AS ）
•刷新间隔：1024次/ 128毫秒
描述
该V53C518165A是1048576 ×16位高
性能CMOS动态随机存取
内存。该V53C518165A提供页面模式OP-
关合作与扩展数据输出。该
V53C518165A具有对称的地址， 10比特的行
和10位的列。
所有输入为TTL兼容。 EDO页面模式
操作允许随机存取高达1024 ×16
位，页内，与循环时间越短
20ns.
这些特性使得V53C518165A理想
适合于各种高性能的COM
计算机系统和外围设备的应用程序。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
K
•
•
访问时间（纳秒）
50
•
•
动力
标准。
•
•
T
•
•
60
•
•
温度
标志
空白
I
V53C518165A修订版1.1 1998年1月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
