茂矽
V53C806H
高性能
1M ×8有点快页模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
40
40纳秒
20纳秒
23纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
25纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
28纳秒
90纳秒
60
60纳秒
30纳秒
40纳秒
120纳秒
特点
s
1M ×8位的组织
s
对于一个持续数据传输率快页模式
43兆赫
s
RAS访问时间： 40 ， 45 ， 50 ， 60纳秒
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS的刷新功能
s
刷新间隔： 1024次/ 16毫秒
s
可提供28引脚400密耳SOJ包装
s
+ 5V单
±
10 ％的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C806H是一种超高速1,048,576 X
8位CMOS动态随机存取存储器。该
V53C806H提供的特征的组合：快
页高数据带宽模式，以及低
CMOS待机电流。
所有的输入和输出为TTL兼容。输入
输出电容显著降低到
使系统性能提高。快速页
模式操作允许最多的随机接入
一排周期时间一样快，在1024× 8位
23纳秒。因为静态电路，中科院时钟
不是在临界定时路径。流过的协作
UMN地址锁存允许的地址，而流水线
轻松许多关键系统的时序要求。
该V53C806H非常适合图形， dig-
需求面实证信号处理和高性能的COM
思想促进体系。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
•
40
•
访问时间（纳秒）
45
•
50
•
60
•
动力
标准。
•
温度
标志
空白
V53C806H 1.6修订版1998年4月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
