欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

V53C808H 参数 Datasheet PDF下载

V53C808H图片预览
型号: V53C808H
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高性能1M ×8位EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新 [HIGH PERFORMANCE 1M x 8 BIT EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 138 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
 浏览型号V53C808H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V53C808H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V53C808H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V53C808H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V53C808H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V53C808H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V53C808H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V53C808H的Datasheet PDF文件第9页  
茂矽
V53C808H
高性能
1M ×8位EDO页模式
CMOS动态RAM
可选的自刷新
35
35纳秒
18纳秒
14纳秒
70纳秒
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。扩展数据输出模式周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
特点
s
1M ×8位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
72兆赫
s
RAS访问时间: 35 , 40 , 45 , 50纳秒
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS的刷新功能
s
可选的自刷新( V53C808SH )
s
刷新间隔: 1024次/ 16毫秒
s
可提供28引脚400密耳SOJ包装
s
+ 5V单
±
10 %的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C808H是一种超高速1,048,576 X
8位CMOS动态随机存取存储器。该
V53C808H提供的特征的组合:页
模式与扩展数据输出的高速数据
带宽和低CMOS待机电流。
所有的输入和输出为TTL兼容。输入
输出电容显著降低到
使系统性能提高。页面模式
与扩展数据输出操作允许随机
高达1024 ×8位的一排中的DOM访问
循环时间快14纳秒。
该V53C808H非常适合图形, dig-
需求面实证信号处理和高性能的COM
思想促进体系。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
T
35
访问时间(纳秒)
40
45
50
动力
标准。
温度
标志
空白
V53C808H 1.5修订版1998年4月
1