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V53C8126H 参数 Datasheet PDF下载

V53C8126H图片预览
型号: V53C8126H
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内容描述: 超高性能, 128K ×8位快速页面模式的CMOS动态RAM [ULTRA-HIGH PERFORMANCE, 128K X 8 BIT FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 211 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
V53C8126H
超高性能,
128K ×8位快速页面模式
CMOS动态RAM
35
35纳秒
18纳秒
21纳秒
70纳秒
V53C8126H
初步
高性能
马克斯。
RAS
访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
40
40纳秒
20纳秒
23纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
25纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
28纳秒
90纳秒
特点
s
128K ×8位的组织
s
RAS
访问时间:35, 40 ,45, 50纳秒
s
快速页模式支持持续的I / O数据
速率高达40 MHz的
s
读 - 修改 - 写,
RAS-只
刷新,
CAS先于RAS
刷新功能
s
刷新间隔
• V53C8126H - 512次/ 8毫秒
s
可在26/24引脚300密耳SOJ和28引脚
TSOP封装
描述
该V53C8126H是高速131072 ×8位
CMOS动态随机存取存储器。该
V53C8126H提供的特征的组合:快
页高数据带宽模式下,可以使用快
速度, CMOS待机电流。
所有的输入和输出为TTL兼容。输入
输出电容显著降低到
使系统性能提高。快速页
模式操作允许多达256个的随机接入
一行内的列的(x8)比特与周期时间为
短短21纳秒。因为静态电路中,
CAS
时钟是不是在临界定时路径。该液流 -
通过列地址锁存允许地址
而放松许多关键的系统计时流水线
要求快速可用的速度。这些功能
做出非常适合图形V53C8126H ,
数字信号处理和高性能
外设。
设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70
°C
包装外形
K
T
35
访问时间(纳秒)
40
45
50
动力
标准。
温度
标志
空白
1
V53C8126H 1.1修订版1997年7月