V53C8128H40 参数 Datasheet PDF下载

型号：	V53C8128H40
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内容描述：	超高性能， 128K ×8位EDO页模式的CMOS动态RAM [ULTRA-HIGH PERFORMANCE, 128K X 8 BIT EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	20 页 / 226 K
品牌：	MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]

泽尔 - 华智

V53C8128H

超高性能，

128K ×8位EDO页模式

CMOS动态RAM

35纳秒

18纳秒

14纳秒

70纳秒

V53C8128H

初步

高性能

马克斯。

RAS

访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。快速页模式随着EDO周期时间，（T

)

分钟。读/写周期时间，（T

)

40纳秒

20纳秒

15纳秒

75纳秒

45纳秒

22纳秒

17纳秒

80纳秒

50纳秒

24纳秒

19纳秒

90纳秒

特点

128K ×8位的组织

RAS

访问时间：35， 40 ，45， 50纳秒

EDO页模式支持持续的I / O数据

率高达71.5 MHz的

低功耗

• V53C8128H -50

- 工作电流 - 最大135毫安

- TTL待机电流 - 最大2.0毫安

CMOS的低待机电流

• V53C8128H - 1.0 mA（最大值）

读 - 修改 - 写，

RAS-只

刷新，

CAS先于RAS

刷新功能

刷新间隔

• V53C8128H - 512次/ 8毫秒

可在26/24引脚300密耳SOJ包装

描述

该V53C8128H是高速131072 ×8位

CMOS动态随机存取存储器。该

V53C8128H提供的特征的组合： EDO

页高数据带宽模式下，可以使用快

速度， CMOS待机电流。

所有的输入和输出为TTL兼容。输入

输出电容显著降低到

使系统性能提高。页面模式

与扩展数据输出操作允许随机

多达256个列的（x8）比特的行内访问

与周期时间尽可能短， 14纳秒。由于静态

电路中，

CAS

时钟是不是在临界定时

路径。流过的列地址锁存器

允许地址流水线，同时放松许多关键

系统的时序要求快速可用的速度。

这些特性使得V53C8128H非常适合

为图形，数字信号处理及高

性能外设。

设备使用图

操作

温度

范围

0 ° C至70

°C

包装外形

访问时间（纳秒）

动力

标准。

温度

标志

空白

•

V53C8128H 1.1修订版1997年11月

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