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V53C8128H50 参数 Datasheet PDF下载

V53C8128H50图片预览
型号: V53C8128H50
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内容描述: 超高性能, 128K ×8位EDO页模式的CMOS动态RAM [ULTRA-HIGH PERFORMANCE, 128K X 8 BIT EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 226 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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泽尔 - 华智
V
5
3
C
8
1
2
8
H
V53C8128H
家庭
设备
PKG
速度
( t
RAC
)
温度。
PWR 。
空( 0 ° C至70 ° C)
BLANK ( NORMAL)
K( SOJ )
35
40
45
50
描述
SOJ
PKG 。
K
引脚数
26/24
( 35纳秒)
( 40纳秒)
( 45纳秒)
( 50纳秒)
3838 01
26/24引脚SOJ
引脚配置
顶视图
VSS
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
WE
RAS
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
V SS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
CAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
3838 02
引脚名称
A
0
–A
8
RAS
CAS
WE
OE
I / O
1
-I / O
8
V
CC
V
SS
地址输入(A
8
:行
只解决)
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入,输出
+ 5V电源
0V供应
绝对最大额定值*
电容*
环境温度
在偏置............................. -10 ° C至+ 80°C
存储温度(塑料) .... -55 ° C至+ 125°C
电压相对于V
SS ....................
-1.0 V至7.0 V
数据输出电流.................................... 50毫安
功耗.........................................为1.0W
*注:以上操作绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
300 MIL
T
A
= 25 ° C,V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS , CAS,WE , OE
数据输入/输出
典型值。马克斯。
3
4
5
4
5
7
单位
pF
pF
pF
*注:电容进行采样,而不是100 %测试
V53C8128H 1.1修订版1997年11月
2