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V53C8129H 参数 Datasheet PDF下载

V53C8129H图片预览
型号: V53C8129H
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内容描述: 超高性能, 128K X 8EDO页模式的CMOS动态RAM [ULTRA-HIGH PERFORMANCE, 128K X 8EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 200 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
V53C8129H
超高性能,
128K ×8 EDO页模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。快速页模式随着EDO周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
35
35纳秒
18纳秒
14纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
特点
s
128K ×8位的组织
s
RAS访问时间: 35 , 40 , 45 , 50纳秒
s
EDO页模式支持持续的I / O数据
率高达71.5 MHz的
s
低功耗
• V53C8129H -50
- 工作电流:最大135毫安
- TTL待机电流:2.0 mA(最大值)
s
CMOS的低待机电流为1.0 mA(最大值)
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS的刷新功能
s
刷新间隔: 512次/ 8毫秒
s
可在26/24引脚300密耳SOJ包装
描述
该V53C8129H是高速131072 ×8位
CMOS动态随机存取存储器。该
V53C8129H提供的特征的组合: EDO
页高数据带宽模式下,可以使用快
速度, CMOS待机电流。
所有的输入和输出为TTL兼容。输入
输出电容显著降低到
使系统性能提高。页面模式
与扩展数据输出操作允许随机AC-
一排中的塞斯多达256列( X8 )位
周期时间短至14毫微秒。因为静态税务局局长的
cuitry ,中科院时钟不在关键时序路径。
流过的列地址锁存器支持管理员
穿着流水线,同时放宽许多关键的系统
定时快速可用的速度要求。这些
特点使得V53C8129H非常适合于
图形,数字信号处理及高perfor-
曼斯外设。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
35
访问时间(纳秒)
40
45
50
动力
标准。
温度
标志
空白
V53C8129H 1.3修订版1997年7月
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