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V53C816H45 参数 Datasheet PDF下载

V53C816H45图片预览

型号：	V53C816H45
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内容描述：	512K ×16快速页面模式的CMOS动态RAM [512K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	18 页 / 215 K
品牌：	MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]

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茂矽

V53C816H

512K ×16快速页面模式

CMOS动态RAM

初步

高性能

马克斯。 RAS访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。快速页模式周期时间，（T

PC

)

分钟。读/写周期时间，（T

RC

)

40

40纳秒

20纳秒

23纳秒

75纳秒

45

45纳秒

22纳秒

25纳秒

80纳秒

50

50纳秒

24纳秒

28纳秒

90纳秒

60

60纳秒

30纳秒

35纳秒

110纳秒

特点

s

512K ×16位的组织

s

RAS访问时间： 40 ， 45 ， 50 ， 60纳秒

s

对于一个持续数据传输率快页模式

43兆赫

s

双输入CAS

s

引脚对引脚与256Kx16兼容

s

低功耗

s

读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，

CAS先于RAS刷新

s

刷新间隔： 512次/ 8毫秒

s

可提供40引脚400密耳SOJ

s

+ 5V单电源供电

s

TTL接口

描述

该V53C816H是524,288 ×16位高性

曼斯的CMOS动态随机存取存储器。

该V53C816H提供了双快页模式

CAS投入。地址， CAS和RAS输入钙

pacitances被降低到一半时的

256Kx16 DRAM用于构造相同的

存储密度。该V53C816H具有不对称

地址， 10比特的行和第9位的列。

所有输入为TTL兼容。快速页模式

操作允许随机存取多达512K ×16

位，页内，与循环时间越短

23ns.

该V53C816H是最适合于图形，并且

缓冲存储器的应用。

设备使用图

操作

温度

范围

0

°

C至70

°

C

包装外形

K

•

40

•

访问时间（纳秒）

45

•

50

•

60

•

动力

标准。

•

温度

标志

空白

V53C816H 1.3修订版1999年2月

1

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