茂矽
V53C818H
高性能
512K ×16 EDO页模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。扩展数据输出模式周期时间， （T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
30
30纳秒
16纳秒
12纳秒
65纳秒
35
35纳秒
18纳秒
14纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
特点
s
512K ×16位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
83兆赫
s
RAS访问时间： 30 ， 35 ， 40 ， 45 ， 50纳秒
s
双输入CAS
s
引脚对引脚具有256K ×16兼容
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，
CAS先于RAS刷新
s
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
s
可提供40引脚400密耳SOJ和40 / 44L针
400万TSOP- II封装
s
+ 5V单
±
10 ％的电力供应
s
TTL接口
描述
该V53C818H是524,288 ×16位高
性能CMOS动态随机存取
内存。该V53C818H提供页面模式
操作与扩展数据输出。一个地址，
CAS和RAS的输入电容被减少到
当在256K ×16 DRAM的用于将一个半
构造相同的存储密度。该
V53C818H具有不对称的地址， 10比特的行和
9位列。
所有输入为TTL兼容。 EDO页面模式
操作允许随机访问多达512 ×16位，
在一个页面中，与周期时间尽可能短为15ns 。
该V53C818H非常适合图形，
数字信号处理和高性能
外设。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
K
•
T
•
30
•
访问时间（纳秒）
35
•
40
•
45
•
50
•
动力
标准。
•
温度
标志
空白
V53C818H版本1.2 1997年5月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
