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V53C8256H35 参数 Datasheet PDF下载

V53C8256H35图片预览
型号: V53C8256H35
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内容描述: 超高速, 256K ×8的快速页面模式的CMOS动态RAM [ULTRA-HIGH SPEED, 256K X 8 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 220 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
V53C8256H
超高速,
256K ×8的快速页面模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。快速页模式周期时间, (T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
35
35纳秒
18纳秒
21纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
23纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
25纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
28纳秒
90纳秒
特点
s
256K ×8位的组织
s
对于一个持续数据传输率快页模式
47兆赫
s
RAS访问时间: 35 , 40 , 45 , 50纳秒
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS的刷新功能
s
刷新间隔: 512次/ 8毫秒
s
单5V
±
10 %的电力供应
s
采用24引脚300密耳的塑料DIP ,
24分之26针300万SOJ ,以及28引脚TSOP -I
套餐
描述
该V53C8256H是高速262144 ×8位
CMOS动态随机存取存储器。该
V53C8256H提供的特征的组合:快
页高数据带宽模式下,可以使用快
速度, CMOS待机电流。
所有的输入和输出为TTL兼容。输入
输出电容显著降低到
使系统性能提高。快速页
模式操作允许多达512个的随机接入
( X8 )一行与周期时间越短21位之内
纳秒。因为静态电路,中科院时钟不
在临界定时路径。流过的柱
地址锁存允许的地址流水线,同时再
laxing许多关键系统的时序要求
快使用的速度。这些特点使
V53C8256H非常适合图形,数字显
最终的处理和高性能计算
系统。
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
P
访问时间(纳秒)
T
动力
标准。
K
50
60
70
温度
标志
空白
V53C8256H修订版1.2 1997年7月
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