V53C8258H50 参数 Datasheet PDF下载

型号：	V53C8258H50
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内容描述：	高性能256K ×8 EDO页模式的CMOS动态RAM [HIGH PERFORMANCE 256K X 8 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	18 页 / 221 K
品牌：	MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]

茂矽

V53C8258H

高性能

256K ×8 EDO页模式

CMOS动态RAM

V53C8258H

初步

高性能

马克斯。

RAS

访问时间，（T

RAC

)

马克斯。列地址访问时间（T

CAA

)

分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T

)

分钟。读/写周期时间，（T

)

35纳秒

18纳秒

14纳秒

70纳秒

40纳秒

20纳秒

15纳秒

75纳秒

45纳秒

22纳秒

17纳秒

80纳秒

50纳秒

24纳秒

19纳秒

90纳秒

特点

256K ×8位的组织

EDO页面模式的持续数据传输率

71兆赫

RAS

访问时间：35， 40 ，45， 50纳秒

低功耗

读 - 修改 - 写，

RAS-只

刷新，

CAS先于RAS

刷新功能

刷新间隔： 512次/ 8毫秒

采用24引脚300密耳的塑料DIP ，

26/24引脚300密耳SOJ引脚和28引脚300密耳

TSOP -I封装

单5V ± 10 ％电源

TTL接口

描述

该V53C8258H是高速262144 ×8位

CMOS动态随机存取存储器。

该V53C8258H提供的特征的组合：

页面扩展数据输出高模式

数据带宽和CMOS的低待机电流。

所有的输入和输出为TTL兼容。输入

输出电容显著降低到

使系统性能提高。页面模式

与扩展数据输出操作允许

多达512个的（x8）比特的行中的随机接入

与周期时间快14纳秒。由于静态

电路中，

CAS

时钟是不是在临界定时

路径。流过的列地址锁存器

允许地址流水线，同时放松许多关键

系统定时要求。该V53C8258H是

非常适合于图形，数字信号处理

和高性能计算系统。

设备使用图

操作

温度

范围

0 ° C至70

°C

包装外形

访问时间（纳秒）

动力

标准。

温度

标志

空白

•

V53C8258H 1.4修订版1997年2月

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