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V53C832L40 参数 Datasheet PDF下载

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型号: V53C832L40
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内容描述: 高性能3.3伏256K X 32 EDO页模式的CMOS动态RAM [HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 32 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 181 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
V53C832L
高性能
3.3伏256K X 32 EDO页模式
CMOS动态RAM
初步
高性能
马克斯。 RAS访问时间, (T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间(T
CAA
)
分钟。扩展数据输出页模式周期时间(T
PC
)
分钟。读/写周期时间, (T
RC
)
30
30纳秒
16纳秒
12纳秒
65纳秒
35
35纳秒
18纳秒
14纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
特点
s
256K ×32位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
83兆赫
s
RAS访问时间: 30 , 35 , 40纳秒
s
四CAS输入的字节读取和写入字节
控制
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写, RAS仅刷新,
CAS先于RAS刷新
s
刷新间隔: 512次/ 8毫秒
s
可提供100引脚PQFP和100引脚LQFP
套餐
s
+ 3.3V单
±
0.3V电源
s
TTL接口
描述
该V53C832L是高速262144 ×32位
高性能CMOS动态随机存取
内存。该V53C832L提供的组合
独特的功能,包括: EDO页面模式操作
重刑更高的持续带宽页面模式
周期时间尽可能短为12ns 。所有输入为TTL
兼容。输入和输出端的电容显
着地降低,以提高性能和微型
迈兹加载。这些特性使得V53C832L
理想地适用于各种高性能
计算机系统和外围设备的应用程序。
设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70℃
包装外形
Q
TQ
30
访问时间(纳秒)
35
40
动力
标准。
空白
温度
标志
V53C832L 1.6修订版1999年8月
1