V54C3128(16/80/40)4V(BGA)
的128Mbit SDRAM
3.3伏, BGA封装
8M ×16
16M ×8
32M ×4
6
7PC
143兆赫
7纳秒
5.4纳秒
5.4纳秒
166兆赫
6纳秒
5.4纳秒
5.4纳秒
初步
s
s
s
s
s
s
CILETIV LESOM
系统频率(F
CK
)
时钟周期时间(T
CK3
)
7
143兆赫
7纳秒
5.4纳秒
6纳秒
8PC
125兆赫
8纳秒
6纳秒
6纳秒
时钟存取时间(t
AC3
) CAS延时= 3
时钟存取时间(t
AC2
) CAS延时= 2
特点
s
s
s
s
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4银行X的2Mbit ×16组织
4银行X的4Mbit ×8的组织
4银行X的8Mbit ×4组织
高速数据传输速率高达166 MHz的
全同步动态RAM ,所有的信号
参考时钟的上升沿
单脉冲RAS接口
数据掩码为读/写控制
由BA0 & BA1控制四家银行
可编程CAS延时: 2,3
可编程的缠绕顺序:顺序或
交错
可编程突发长度:
1,2, 4,8为顺序类型
1,2, 4,8为交错型
多个突发读取与单写操作
自动和控制预充电命令
随机列地址每CLK ( 1 -N规则)
掉电模式
自动刷新和自刷新
刷新间隔: 4096次/ 64毫秒
可提供60引脚WBGA
LVTTL接口
+ 3.3V单
±0.3
V电源
描述
该V54C3128 ( 16/80/40 ) 4V ( BGA )是一个4银行
同步DRAM组织成4组X的2Mbit
×16 , 4银行X的4Mbit ×8或4银行X的8Mbit ×4 。
该V54C3128 ( 16/80/40 ) 4V ( BGA )实现了高
高速数据传输速率高达166 MHz的由就业
荷兰国际集团在芯片架构,多个预取位
然后将输出数据传送到系统同步
时钟
所有的控制,地址,数据输入和输出的
电路用的正边缘同步
外部提供的时钟。
操作四个存储体中跨
时尚阔叶允许随机访问操作
发生在更高的速率比用标准
DRAM的。最多的连续和无缝数据速率
166 MHz的可能取决于突发长度,
CAS延迟和设备的速度等级。
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s
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s
s
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设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70℃
包装外形
B
•
访问时间(纳秒)
6
•
动力
8PC
•
7PC
•
7
•
标准。
•
L
•
温度
标志
空白
V54C3128 ( 16/80/40 ) 4V ( BGA ) 2001年修订版1.2月
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