欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

V54C316162V-55 参数 Datasheet PDF下载

V54C316162V-55图片预览
型号: V54C316162V-55
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 200/183/166/143 MHz的3.3伏, 4K刷新超高性能1M ×16 SDRAM 2组X达512Kbit ×16 [200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 4K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 21 页 / 306 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
 浏览型号V54C316162V-55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V54C316162V-55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V54C316162V-55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V54C316162V-55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V54C316162V-55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V54C316162V-55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V54C316162V-55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V54C316162V-55的Datasheet PDF文件第9页  
V54C316162V
200/183/166/143 MHz的3.3伏, 4K刷新
超高性能
1M ×16 SDRAM 2组X达512Kbit ×16
s
JEDEC标准的3.3V电源
s
该V54C316162V非常适合高性
formance图形外设应用
s
单脉冲RAS接口
s
可编程CAS延时: 2,3
s
所有的输入进行采样,正边沿
时钟
s
可编程的缠绕顺序:顺序​​或
交错
s
可编程突发长度: 1 , 2 , 4 , 8和全
页顺序和1 , 2,4, 8,用于交织
s
UDQM & LDQM字节屏蔽
s
自动&自我刷新
s
4K刷新周期/ 64毫秒
s
突发读取与单写操作
CILETIV LESOM
V54C316162V
时钟频率(T
CK
)
潜伏期
周期时间(t
CK
)
访问时间(吨
AC
)
-5
200
3
5
5
-55
183
3
5.5
5.3
-6
166
3
6
5.5
-7
143
3
7
5.5
单位
兆赫
ns
ns
特点
描述
该V54C316162V是16777216位同步的
组织为2×理性高数据速率DRAM
524,288字由16位。该设备被设计为
符合同步设置的JEDEC标准
DRAM产品,在电气上和机械上。
同步设计,可以精确控制周期
与系统时钟。 CAS延迟,突发
长度和突发序列必须被编程
入装置之前访问操作。
2001年V54C316162V Rev.2.9九月
1