V54C3256164VBUC/T
低功耗的256Mbit SDRAM
3.3伏，54球BGA SOC
54引脚TSOPII 16M ×16
初步
CILETIV LESO M
6
系统频率（F
CK
)
时钟周期时间（T
CK3
)
时钟存取时间（t
AC3
） CAS延时= 3
时钟存取时间（t
AC2
） CAS延时= 2
166兆赫
6纳秒
5.4纳秒
5.4纳秒
7PC
143兆赫
7纳秒
5.4纳秒
5.4纳秒
7
143兆赫
7纳秒
5.4纳秒
6纳秒
8PC
125兆赫
8纳秒
6纳秒
6纳秒
特点
■
4银行X的4Mbit ×16组织
■
高速数据传输速率高达166 MHz的
■
全同步动态RAM ，所有的信号
参考时钟的上升沿
■
单脉冲RAS接口
■
数据掩码为读/写控制
■
由BA0 & BA1控制四家银行
■
可编程CAS延时： 2,3
■
可编程的缠绕顺序：顺序或
交错
■
可编程突发长度：
1，2， 4，8为顺序类型
1，2， 4，8为交错型
■
多个突发读取与单写操作
■
自动和控制预充电命令
■
随机列地址每CLK （ 1 -N规则）
■
掉电模式
■
自动刷新和自刷新
■
刷新间隔： 8192次/ 64毫秒
■
可在54球BGA SOC / 54引脚TSOP II
■
LVTTL接口
■
+ 3.3V单
±0.3
V电源
■
低功耗自刷新电流
■
L-版本1.0毫安
■
U-版本0.6毫安
描述
该V54C3256164VBUC / T是一款低功耗4
银行同步DRAM被划分为4银行X
为4Mbit x 16位的V54C3256164VBUC / T实现
高速数据传输速率高达166 MHz的经
采用的芯片架构，预取多
的PLE位，然后将数据输出到同步
系统时钟
所有的控制，地址，数据输入和输出的
电路用的正边缘同步
外部提供的时钟。
操作四个存储体中跨
时尚阔叶允许随机访问操作
发生在更高的速率比用标准
DRAM的。最多的连续和无缝数据速率
166 MHz的可能取决于突发长度，
CAS延迟和设备的速度等级。
该V54C3256164VBUC / T非常适合
高性能，低功耗的系统，如
PDA，移动电话，数码相机和其它备用电池
应用程序。
设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70℃
套餐输出
LINE
C / T
•
访问时间（纳秒）
6
•
动力
8PC
•
7PC
•
7
•
标准。
•
L
•
U
•
T
•
温度
标志
空白
V54C3256164VBUC / T 2003修订版1.1月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
