V54C365404VD(L)
高性能143/133/125 MHz的
3.3伏16M ×4同步DRAM
4银行X的4Mbit ×4
初步
s
4银行X的4Mbit ×4组织
s
高速数据传输速率高达143 MHz的
s
全同步动态RAM ,所有的信号
参考时钟的上升沿
s
单脉冲RAS接口
s
数据掩码为读/写控制
s
由BA0 & BA1控制四家银行
s
可编程CAS延时: 2,3
s
可编程的缠绕顺序:顺序或
交错
s
可编程突发长度:
1,2, 4,8和全页顺序类型
1,2, 4,8为交错型
s
多个突发读取与单写操作
s
自动和控制预充电命令
s
随机列地址每CLK ( 1 -N规则)
s
挂起模式和掉电模式
s
自动刷新和自刷新
s
刷新间隔: 4096次/ 64毫秒
s
可提供54引脚400密耳的TSOP -II
s
LVTTL接口
s
+ 3.3V单
±0.3
V电源
CILETIV LESOM
系统频率(F
CK
)
时钟周期时间(T
CK3
)
7
143兆赫
7纳秒
5.4纳秒
5.5纳秒
75
133兆赫
7.5纳秒
5.4纳秒
6纳秒
8PC
125兆赫
8纳秒
6纳秒
6纳秒
8
125兆赫
8纳秒
7纳秒
7纳秒
时钟存取时间(t
AC3
) CAS延时= 3
时钟存取时间(t
AC2
) CAS延时= 2
特点
描述
该V54C365404VD (L )是一个4行同步的
被划分为4银行知性DRAM X的4Mbit X 4
V54C365404VD ( L)实现高速数据传输
FER速率高达143 MHz的采用芯片架构设计师用手工
tecture该预取多个比特,然后
的输出数据同步到系统时钟
所有的控制,地址,数据输入和输出的
电路用的正边缘同步
外部提供的时钟。
操作四个存储体中跨
时尚阔叶允许随机访问操作
发生在更高的速率比用标准
DRAM的。最多的连续和无缝数据速率
143兆赫可以根据突发长度,
CAS延迟和设备的速度等级。
设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70℃
包装外形
T
•
访问时间(纳秒)
7
•
动力
8
•
75
•
8PC
•
标准。
•
L
•
温度
标志
空白
V54C365404VD ( L)修订版2001年0.9月
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