V62C1162048L(L)
超低功耗
128K ×16的CMOS SRAM
特点
•低功耗
- 活动： 35毫安我
CC
在为70ns
- 待机： 10
µ
A（ CMOS输入/输出）
2
µ
A（ CMOS输入/输出，L版）
• 70/85/100/120 ns访问时间
•平等接入和周期时间
•单+ 1.8V to2.2V电源
- 三态输出
•自动断电时取消
•多中心的电源和接地引脚
提高抗干扰
•为读取单个字节的控制和
写周期
•提供44引脚TSOPII / 48引脚fpBGA / 48-
µ
BGA
功能说明
该V62C1162048L是一款低功耗CMOS静态
RAM （16位）组织为131,072字。易
存储器扩展是通过一个低有效（CE）提供
和（ OE ）引脚。
该设备具有自动省电模式功能
取消的时候。独立的字节使能控制（ BLE
和BHE）允许访问的单个字节。 BLE
控制下位的I / O 1 - I / O8 。 BHE控制
高位I / O9 - I / O16 。
写入这些设备通过取芯片进行
使能（ CE）与写使能（ WE）和字节使能
（ BLE / BHE ）低。
从设备读通过取芯片进行
使能（ CE）与输出使能（ OE ）和字节使能
（ BLE / BHE）低，而写使能（ WE）举行
高。
逻辑框图
预充电电路
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
TSOPII / 48引脚fpBGA / 48 μBGA
（见巢页）
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
行选择
VCC
VSS
存储阵列
1024 X 2048
I / O1 - I / O8
I / O9 - I / O16
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16
WE
OE
BHE
BLE
CE
1
修订版1.2
五月
2001年V62C1162048L （ L）
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
