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V62C1801024LL-150B 参数 Datasheet PDF下载

V62C1801024LL-150B图片预览
型号: V62C1801024LL-150B
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内容描述: 超低功耗128K ×8 CMOS SRAM [Ultra Low Power 128K x 8 CMOS SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 94 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V62C1801024L(L)
超低功耗
128K ×8 CMOS SRAM
特点
•超低功耗
- 活动: 20毫安在为70ns
- 待机: 5
µ
A
( CMOS输入/输出)
1
µ
A
CMOS输入/输出, L型
•单+ 1.8V至2.2V电源
•平等接入和周期时间
• 70/85/100/150 ns访问时间
•易于扩展内存与CE1 , CE2
和OE输入
• 1.0V数据保持方式
• TTL兼容,三态输入/输出
•自动断电时取消
功能说明
该V62C1801024L是一款低功耗CMOS静态RAM或 -
8位ganized为131,072字。易内存扩展
由低电平有效的CE1 ,活性高CE2 ,提供了一种
低电平有效OE和三态I / O的。该器件具有一个A-
取消当utomatic掉电模式功能。
写入设备通过取芯片实现E-
nable 1 ( CE1 )与写使能( WE)低,而芯片ENA-
竹叶提取2 ( CE2 )高。从设备中读取被执行
以芯片使能1 ( CE1 )与输出使能( OE )
低,而写使能( WE)和芯片使能2 ( CE2 )
为HIGH 。在I / O引脚被置于高阻抗ST-
吃时,取消选择器件:输出被禁止
在写周期。
该V62C1801024LL配有1V数据保留功能
和更低的待机功耗。该V62C1801024L是可用
采用32引脚8 ×20mm的TSOP1 / STSOP / 48 - fpBGA封装。
逻辑框图
32引脚TSOP1 / STSOP
(见下页)
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
GND
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
0
输入
卜FF器
卜FF器
行解码器
行解码器
SENSE AMP
SENSE AMP
A
1
A
1
A
2
A
2
A
3
A
4
A
3
A
5
A
4
A
6
A
5
A
7
A
6
A
8
A
7
A
9
I/O8
I / O
7
A
15
VCC
NC
A
16
A
14
A
12
1024
1024
X
X
1024
1024
I/O1
A
7
A
6
A
5
A
4
I / O
0
A
8
列解码器
列解码器
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
控制
电路
A
15
A
16
控制
电路
OE
WE
OE
CE1
WE
CE2
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
CE1
CE2
1
修订版1.1
四月
2001年V62C1801024L ( L)