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    V62C5181024LL-35P 参数 Datasheet PDF下载

    V62C5181024LL-35P图片预览
    型号： V62C5181024LL-35P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8静态RAM [128K X 8 STATIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 63 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V62C5181024LL-35P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V62C5181024LL-35P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V62C5181024LL-35P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V62C5181024LL-35P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V62C5181024LL-35P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V62C5181024LL-35P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V62C5181024LL-35P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V62C5181024LL-35P的Datasheet PDF文件第9页  
    茂矽
    数据保持特性
    符号
    V
    DR
    I
    CCDR
    V62C5181024
    参数
    V
    CC
    数据保留
    CE
    1
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V ，CE
    2
    ≤
    0.2V,
    V
    IN
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V或V
    IN
    ≤
    0.2V
    Com'l
    动力
    分钟。
    2.0
    典型值。
    (2)
    —
    马克斯。
    5.5
    单位
    V
    µA
    数据保持电流
    CE
    1
    ≥
    V
    DR
    -0.2V ，CE
    2
    ≤
    0.2V,
    V
    IN
    ≥
    V
    CC
    - 0.2V或V
    IN
    ≤
    0.2V
    L
    LL
    —
    —
    —
    —
    0
    t
    RC(1)
    2
    2
    —
    4
    —
    —
    50
    40
    100
    60
    —
    —
    IND 。
    L
    LL
    t
    CDR
    t
    R
    芯片取消到数据保留时间
    手术恢复时间（见保留波形）
    ns
    ns
    注意事项：
    1. t
    RC
    =读周期时间
    2. T
    A
    = +25°C.
    低V
    CC
    数据保存波形图（ 1 ） （ CE
    1
    控制）
    数据保持方式
    V
    CC
    4.5V
    t
    CDR
    CE
    1
    2.2V
    CE
    1
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V
    V
    DR
    ≥
    2V
    t
    R
    2.2V
    5181024 07
    4.5V
    低V
    CC
    数据保存波形图（ 2 ） （ CE
    2
    控制）
    数据保持方式
    V
    CC
    4.5V
    t
    CDR
    CE
    2
    2.2V
    CE
    2
    ≤
    0.2V
    V
    DR
    ≥
    2V
    t
    R
    2.2V
    5181024 08
    4.5V
    V62C5181024 2.2版2000年2月
    5

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