茂矽
V62C5181024
128K ×8静态RAM
初步
特点
s
高速: 35 , 70纳秒
s
5mA的超低直流工作电流(最大值)
TTL待机: 5毫安(最大)
CMOS待机: 60
µ
A( MAX 。 )
s
全静态操作
s
所有的输入和直接兼容输出
s
三态输出
s
超低数据保持电流(V
CC
= 2V)
s
单5V
±
10 %的电力供应
s
套餐
- 32引脚TSOP (标准)
- 32引脚600密耳PDIP
- 32引脚440密耳SOP ( 525万引脚对引脚)
描述
该V62C5181024是1,048,576位静态
随机存取存储器组织为131,072
字由8位。它是建立与茂矽公司
高性能的CMOS工艺。输入
三态输出为TTL兼容,并允许
对于直接连接常见的系统总线
结构。
功能框图
A
0
ROW
解码器
1024 x 1024
存储阵列
V
CC
GND
A
9
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
A
10
CE
1
CE
2
OE
WE
列I / O
列解码器
A
16
控制
电路
5181024 01
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
T
•
•
W
•
•
P
•
•
访问时间(纳秒)
35
•
•
70
•
•
L
•
•
动力
LL
•
•
温度
标志
空白
I
V62C5181024 2.2版2000年2月
1