茂矽
开关波形(写周期)
写周期1 (我们控制)
(4)
t
WC
地址
V62C5181024
t
WR(2)
t
CW(6)
CE
1
t
AW
CE
2
t
AS
WE
t
WP(1)
产量
t
WHZ
输入
5181024 12
t
CW(6)
t
DW
t
DH
写周期2 ( CE控制)
(4)
t
WC
地址
t
CW(6)
CE
1
t
AW
CE
2
t
AS
WE
高-Z
t
DW
输入
5181024 13
t
WR(2)
(4)
t
CW(6)
产量
t
DH
(5)
注意事项:
1.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
和CE
2
主动和WE低。所有信号都必须积极
启动任何一个信号可以通过将非活动结束写入。数据输入建立和保持时间应参考
因此终止了写入的信号的第二过渡边缘。
2. t
WR
从CE的早期测定
1
或者我们要高,或CE
2
变低,在写周期的结束。
3.在此期间, I / O引脚处于输出状态,以使相位相反的到输出端的输入信号不能被应用。
4. OE = V
IL
或V
IH
。然而,建议保持OE在V
IH
在写周期,以避免总线冲突。
5.如果CE
1
为低和CE
2
在此期间HIGH , I / O引脚的输出状态。相位相反,则数据输入信号
到输出端不能适用于它们。
6. t
CW
从CE测
1
变低或CE
2
变高,以写的末尾。
V62C5181024 2.2版2000年2月
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