茂矽
V62C518256
32K x 8静态RAM
初步
特点
s
高速: 35 , 70纳秒
s
5mA的超低直流工作电流(最大值)
s
低功耗:
- TTL待机:3 MA(最大)
- CMOS待机: 20
µ
A( MAX 。 )
s
全静态操作
s
所有的输入和直接兼容输出
s
三态输出
s
超低数据保持电流(V
CC
= 2V)
s
单5V
±
10 %的电力供应
s
套餐
- 28引脚TSOP (标准)
- 28引脚600密耳PDIP
- 28引脚330密耳SOP ( 450万引脚对引脚)
描述
该V62C518256是262,144位静态随机
存取存储器组织为32,768字×8
位。它是建立与茂矽高
高性能CMOS工艺。输入和三
状态输出为TTL兼容,并允许
直接连接常见的系统总线
结构。
功能框图
A
0
ROW
解码器
512 x 512
存储阵列
V
CC
GND
A
8
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
A
9
CE
OE
WE
列I / O
列解码器
A
14
控制
电路
518256-01
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
T
•
•
P
•
•
F
•
•
访问时间(纳秒)
35
•
•
70
•
•
L
•
•
动力
LL
•
•
温度
标志
空白
I
V62C518256修订版2.3 1998年11月
1