摩托罗拉
半导体技术资料
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通过2N5550 / D
放大器晶体管
NPN硅
2N5550
2N5551*
*摩托罗拉的首选设备
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
2N5550 2N5551
140
160
6.0
600
625
5.0
1.5
12
- 55 〜+ 150
160
180
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
μAdc ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 100伏， IE = 0 ）
（ VCB = 120伏， IE = 0 ）
（ VCB = 100伏， IE = 0 ， TA = 100 ° C）
（ VCB = 120伏， IE = 0 ， TA = 100 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 4.0伏， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
V（ BR ） CEO
2N5550
2N5551
V（ BR ） CBO
2N5550
2N5551
V（ BR ） EBO
ICBO
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551
IEBO
—
—
—
—
—
100
50
100
50
50
160
180
6.0
—
—
—
140
160
—
—
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
NADC
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1996年
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
