摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N7000 / D
TMOS场效应晶体管
N通道 - 增强
3漏
2
门
1来源
2N7000
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
50
µs)
漏电流
连续
脉冲
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
价值
60
60
±
20
±
40
200
500
350
2.8
- 55 〜+ 150
mW
毫瓦/°C的
°C
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
MADC
CASE 29-04 ，风格22
TO-92 （TO- 226AA ）
1
2
3
热特性
特征
热阻，结到环境
铅的最大温度
焊接目的， 1/16“的情况下，从
10秒
符号
R
θJA
TL
最大
357
300
单位
° C / W
°C
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
（VGS = 0时， n = 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 48伏直流电， VGS = 0 ）
（ VDS = 48伏直流电， VGS = 0 ， TJ = 125°C ）
门体漏电流，正向
（ VGSF = 15 VDC ， VDS = 0 ）
V（ BR ） DSS
IDSS
—
—
IGSSF
—
1.0
1.0
–10
60
—
VDC
μAdc
MADC
NADC
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）
静态漏源导通电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 0.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 75 MADC ）
漏源电压
（ VGS = 10 VDC ， ID = 0.5 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 75 MADC ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
VGS （ TH）
RDS （ ON）
0.8
3.0
VDC
欧姆
—
—
VDS （上）
—
—
5.0
6.0
VDC
2.5
0.45
REV 3
©
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
