摩托罗拉
半导体技术资料
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通过2N7002LT1 / D
TMOS场效应晶体管
N沟道增强
3漏
1
门
2N7002LT1
摩托罗拉的首选设备
3
2 SOURCE
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压( RGS = 1.0 MΩ )
漏电流 - 连续TC = 25 ° C( 1 )
漏电流 - 连续
TC = 100 ° C( 1 )
漏电流
- 脉冲( 2 )
栅源电压
- 连续
- 不重复( TP
≤
50
µs)
符号
VDSS
VDGR
ID
ID
IDM
VGS
VGSM
价值
60
60
±
115
±
75
±
800
±
20
±
40
单位
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 318 - 08 , 21风格
SOT- 23 ( TO - 236AB )
VDC
VPK
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局, ( 3 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, ( 4 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
PD
R
θJA
PD
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
TJ , TSTG
417
- 55 〜+ 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
2N7002LT1 = 702
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
(VGS = 0时, n = 10
μAdc )
零栅极电压漏极电流
( VGS = 0 , VDS = 60 VDC )
门体漏电流,正向
( VGS = 20 V直流)
门体漏电流,反向
( VGS = - 20 V直流)
1.
2.
3.
4.
TJ = 25°C
TJ = 125°C
V( BR ) DSS
IDSS
IGSSF
IGSSR
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
500
100
–100
VDC
μAdc
NADC
NADC
封装的功耗可能会导致较低的连续漏极电流。
脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%.
FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 %的氧化铝。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
©
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
1