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通过2SA1774 / D
PNP硅通用
晶体管放大器
这PNP晶体管是专为通用放大器应用。这
设备被容纳在SOT -416 / SC- 90包被设计为低功耗
表面贴装应用中，电路板空间非常珍贵。
•
板级空间缩小
•
高的hFE ， 210 - 460 （典型值）
•
低VCE （SAT） ， < 0.5 V
•
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
2SA1774
PNP一般
用途放大器
晶体管
表面贴装
3
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
价值
–60
–50
–6.0
–100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 463-01 ，风格1
SOT–416/SC–90
器件标识
2SA1774 = F9
集热器
3
热特性
等级
功率耗散（ 1 ）
结温
存储温度范围
符号
PD
TJ
TSTG
最大
150
150
– 55 ~ + 150
单位
mW
°C
°C
1
BASE
2
辐射源
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -50
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（IE = -50
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ）
发射基截止电流（ VEB = -5.0伏， IB = 0 ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 2 ）
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
DC电流增益（2）
（ VCE = -6.0伏， IC = -1.0 MADC ）
跃迁频率
（ VCE = -12伏直流， IC = -2.0 MADC ， F = 30兆赫）
输出电容（ VCB = -12伏直流， IE = 0 ADC ， F = 1兆赫）
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
VCE （ SAT ）
—
的hFE
120
fT
—
COB
—
140
3.5
—
—
pF
—
560
兆赫
—
–0.5
—
民
–60
–50
–6.0
—
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
–0.5
–0.5
单位
VDC
VDC
VDC
nA
µA
VDC
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
特区
≤
2%.
热复合是贝格斯公司的商标。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1996年
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
