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由2SC4617 / D
初步信息
NPN硅通用
晶体管放大器
这NPN晶体管是专为通用放大器应用。
此装置被安置在SOT -416 / SC- 90封装，其目的是为
低功率表面贴装应用中，电路板空间非常珍贵。
•
板级空间缩小
•
高的hFE ， 210 - 460 （典型值）
•
低VCE （SAT） ， < 0.5 V
•
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
价值
50
50
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2SC4617
NPN通用
用途放大器
晶体管
表面贴装
3
2
1
CASE 463-01 ，风格1
SOT–416/SC–90
器件标识
2SC4617 = B9
集热器
3
热特性
等级
功率耗散（ 1 ）
结温
存储温度范围
符号
PD
TJ
TSTG
最大
125
150
– 55 ~ + 150
单位
mW
°C
°C
1
BASE
2
辐射源
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 50
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 50
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
发射基截止电流（ VEB = 4.0伏， IB = 0 ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 2 ）
（ IC = 60 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
DC电流增益（2）
（ VCE = 6.0伏， IC = 1.0 MADC ）
过渡频率（ VCE = 12 VDC， IC = 2.0 MADC ， F = 30兆赫）
输出电容（ VCB = 12 VDC， IC = 0 ADC ， F = 1兆赫）
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
VCE （ SAT ）
—
的hFE
120
fT
COB
—
—
—
180
2.0
560
—
—
兆赫
pF
—
0.4
—
民
50
50
5.0
—
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
0.5
0.5
单位
VDC
VDC
VDC
µA
µA
VDC
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
特区
≤
2%.
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热复合是贝格斯公司的商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1996年
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
